当前位置:首页 > 新闻中心 > 行业新闻 >

东吴证券:SiC东风已来 关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇

点击次数:2023-08-22 15:21:58【打印】【关闭】

iC衬底:材料端良率提升是关键,设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升  (1)衬底:随着下游持续扩产,我们预计全球/国内6寸碳化硅衬底片新增市场空间约380

iC衬底:材料端良率提升是关键,设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升

  (1)衬底:随着下游持续扩产,我们预计全球/国内6寸碳化硅衬底片新增市场空间约380/156亿元,海外龙头起步较早,根据Yole,2020年海外厂商Wolfspeed等CR3达78%,国内龙头天科合达、天岳先进分别仅为3%,国内SiC衬底良率较低约50%,而海外龙头良率已达85%左右。

  (2)长晶:物理气相传输(PVT)最成熟,难点在于温度控制、杂质控制、生长速度缓慢等,随着国内SiC衬底加速扩产,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅单晶炉新增市场空间约100/40亿元,国内厂商已经较好的实现了碳化硅单晶炉的国产化,其中北方华创(002371)市占率超50%,晶升股份市占率约 28%,晶盛机电(300316)设备自产自用。

  (3)切片:金刚线切割效率高、污染少,正逐渐代替砂浆切割,激光切片损耗少、效率高,有望替代金刚线成为新一代主流切割技术,我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅切片设备新增市场空间约30/13亿元,金刚线切割方面高测股份已推出分别兼容4-8英寸的SiC金刚线切片机并持续推进国产替代,激光切割方面大族激光(002008)和德龙激光市场份额各占约50%。

  (4)研磨抛光:我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅磨抛设备的市场空间约56/23亿元,DISCO为龙头,国内迈为股份(300751)对标DISCO ,推动设备国产化。

  3 SiC外延:国外设备商主导,未来2-3年有望快速实现国产替代

  SiC外延需严格控制缺陷,工艺难度大,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅外延炉新增市场空间约130/53亿元,目前以意大利LPE(水平气流)、德国爱思强(垂直气流)、日本的Nuflare(垂直气流)为主,其MOCVD设备的核心差异是对气体流量的控制,国内晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所和深圳纳设智能等均在积极推进国产替代。此外在外延完成后,SiC仍需要激光划片进行晶圆的切割,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅激光切割设备新增市场空间约5/2亿元,国内德龙激光、大族激光市占率各50%。

  风险提示:新能源车销量不及预期的风险、碳化硅渗透率提升不及预期的风险、SiC设备国产化率提升不及预期、各家厂商技术研发不及预期。 

浏览相关内容: